התקני זיכרון הם רכיבי סמסטר חשמליים חשובים לאחסון נתונים בתוך מעגלים משולבים (ICs) עבור מגוון יישומים אלקטרוניים. הם זמינים במגוון סוגים, כל אחד מציע תכונות שונות שמתאימות לצרכים של תעשיות שונות. הסוגים הנפוצים ביותר כוללים CBRAM (Conductive-Bridge RAM), DRAM (Dynamic RAM), EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM), EERAM (Electrically Erasable RAM), EPROM (Erasable Programmable ROM), זיכרון פלאש, FRAM (Ferroelectric RAM), NVSRAM (Non-Volatile Static RAM), PCM (Phase-Change Memory), PRAM, PSRAM (Pseudo Static RAM), RAM (Random Access Memory), ו-SRAM (Static RAM). התקני זיכרון אלו מסווגים כוולאטיביים ולא-וולאטיביים. הזיכרונות הוולאטיביים, כמו DRAM ו-SRAM, דורשים חשמל על מנת לשמור על הנתונים, בעוד שהזיכרונות הלא-וולאטיביים, כמו EEPROM, פלאש ו-FRAM, שומרים על נתונים גם כאשר החשמל אובד. הגודל של התקני זיכרון אלו משתנה מ-64 בייטים (B) ליישומים מיוחדים, ועד למספר טרה-בייטים (6 TB) בפתרונות אחסון בקיבולות גבוהות. הממשקים בהם נעשה שימוש עבור תקשורת בין התקני זיכרון לרכיבים אחרים משתנים גם הם, ומספקים גמישות עבור שימושים שונים. הממשקים הנפוצים כוללים I2C, MMC (MultiMediaCard), מקבילי, eMMC (embedded MMC), חד-חוטי, SPI (Serial Peripheral Interface), UFS (Universal Flash Storage), Xccela Bus וחד-חוטי, המאפשרים אינטגרציה חלקה במגוון מערכות. התקני זיכרון אלו חשובים למערכות משובצות, אלקטרוניקה צרכנית, יישומים תעשייתיים ומחשוב ביצועים גבוהים, ומאפשרים אחסון, שליפה וניהול נתונים בצורה יעילה בטכנולוגיה המודרנית.